众所周知，由于外部环境发生改变，台积电、三星等芯片代工企业，均无法实现对中国企业的自由出货。华为等中国芯片设计公司为了解决芯片代工问题，已经相继宣布了将全面进入国产半导体产业链的消息。
就在前不久，华为Mate 80系列旗舰发布，其内部搭载的麒麟9030处理器，再度引发了 人们的热议。与此同时，日本方面则抛出了1.4纳米芯片技术的新突破，在不使用EUV光刻机的情况下，国内仍有可能实现先进芯片的投产。
日本在这一技术路线上的验证，也为国产芯片代工行业的发展带来了新的转机！
近日，日本印刷株式会社（DNP）宣布，该公司成功开发出10nm线宽的纳米压印模板，相当于当前的1.4nm制程，可以替代部分EUV甚至High NA EUV工艺，用于制造尖端逻辑半导体，以满足客户对于成本控制的需求。
这不是又一次常规的技术迭代，而是一条完全绕开EUV光刻机的赛道——纳米压印技术。
展开剩余82%故事还要从2003年说起，当时的日本印刷株式会社（DNP）开始研究纳米压印方案，目的是为了解决先进制程芯片，过度依赖于EUV光刻机的问题。
传统的光刻技术，是用光把电路图案"投影"到硅晶圆上，就像放电影一样，需要复杂的光学系统、精密的镜头、昂贵的光源。
纳米压印则是类似“盖章”的环节，通过将刻好的图形模板压在晶圆上，来完成莱斯与光刻的工艺制造。听起来low，但效果比起EUV光刻来讲可能会更好，毕竟光是电力成本就得盛夏不少钱。
2023年10月，佳能正式发布了基于纳米压印技术的芯片制造设备FPA-1200NZ2C。
这台设备的出现，让整个行业重新审视了这条"印刷式"的技术路线。佳能CEO御手洗富士夫当时放出豪言：我们的设备价格，只有ASML的EUV光刻机的十分之一。
ASML的EUV光刻机单台售价1.5亿美元，佳能的纳米压印设备只要1500万美元。
这价格差距，足以让很多被EUV光刻机拒之门外的企业和国家，重新燃起希望。
而这次DNP做到的突破，直接让纳米压印方案取代EUV光刻方案，成为了真正商用可行的技术方案。
纳米压印是1:1的直接复制，不像光刻技术可以通过光学系统放大缩小。
这意味着，模板上的图案有多精细，压印出来的图案就有多精细。想要做到10nm线宽，模板本身的加工精度必须达到纳米级别。
为此，DNP采用了是自对准双重图案化（SADP）技术，通过在已有图案上进行薄膜沉积和蚀刻，让图案密度翻倍。
这种方法虽然复杂，但能在不依赖更先进光刻设备的情况下，可以实现更小的线宽。
中国企业虽然无法借助EUV光刻机，但也可以通过其他技术方案，来解决模板的问题。比如，借助电子束光刻设备来完成模板制造，虽然效率低，但是精度却一点也不差。
当然了，只是压印的模板技术解决了还不够，纳米压印需要在晶圆上涂一层极薄的压印胶，然后用模板压上去。这层胶的厚度，也直接决定了压印的精度和良率。
但无论如何，DNP在这一技术路线的突破，都为国产高端芯片技术的破局，提供了新的解题思路。
2025年8月，中国企业璞璘科技自主研发的首台半导体级步进纳米压印光刻系统，已经通过验收并交付给国内客户。
这是中国第一台半导体级步进纳米压印设备。
璞璘科技的这台设备，同样可以实现线宽小于10nm的纳米压印工艺，残余层厚度小于10nm，变化小于2nm。这些技术指标，和DNP的模板是匹配的。
这也就意味着，国产高端芯片目前的难题，就是解决模板的生产问题。
一旦该难题被攻克，中国企业就可以在不借助EUV光刻机的前提下，来完成部分先进制程芯片的国产化投产。
事实上，近两年国内企业在高端芯片领域，已经实现了不少的技术突破。比如，这次华为的麒麟9030芯片，据说就是在不借助EUV光刻机的情况下，做到了等效5纳米的性能。
加上DNP公司在纳米压印方案上的延伸
当然了，我们也不能够盲目乐观，当下国内在纳米压印领域的技术积累，并不如日本。
对方先一步实现技术突破，必然会申请大量的技术专利，从而预防后来者走与对方相同的技术路线。路对方是走通了，我们想要跟随仍有一定的难度。
但总体来说，新的技术方案出现，往往意味着新的机遇。
全球有那么多国家和企业受制于EUV光刻机，无法生产高端的芯片产品。只要中国企业把技术问题解决了，未来面向海外就将会是千亿、万亿级别的市场。
纳米压印技术的出现，的确为国内绕开EUV光刻机投产先进工艺芯片，提供了一个良好的机遇。但能否将纳米压印技术发展壮大，使得全行业都认可和使用着一项技术，还需要大量的事件才能够得到验证。
就目前来看，EUV光刻机仍然是解决先进芯片量产难题的最佳方案。国内在发展纳米压印技术的同时，也应当关注传统光刻路线的设备技术攻关。唯有寻找更多的技术路线，才能够以最快的速度解决高端芯片的“卡脖子”问题。
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发布于：江西省